TPS1100单路P通道增强模式MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

TPS1100是单p通道增强型MOSFET。该器件已通过德州仪器LinBiCMOSTM工艺优化，适用于电池供电系统中的3v或5v配电。

TPS1100的最大VGS（th）为-1.5 V， IDSS仅为0.5 uA，是低压便携式电池管理系统的理想高压开关，在这些系统中，最大限度地延长电池寿命是主要关注的问题。

低rDS（on）和出色的交流特性（典型上升时间10 ns）使TPS1100成为低压开关应用的逻辑选择，例如脉宽调制（PWM）控制器或电机/桥式驱动器的功率开关。

超薄薄收缩小轮廓封装或TSSOP （PW）版本具有更小的占地面积和降低的高度，适合其他p沟道mosfet不能的地方。在电路板面积有限，且高度限制不允许采用小轮廓集成电路（SOIC）封装的情况下，尺寸优势尤为重要。

这些应用包括笔记本电脑、个人数字助理（pda）、移动电话和PCMCIA卡。对于现有设计，d封装版本具有与SOIC封装中的其他p沟道mosfet相同的引脚。

谨慎。本设备包含保护其输入和输出免受高静电电压或静电场损坏的电路。根据MIL-STD-883C， Method 3015，这些电路已符合保护本设备免受高达2kv静电放电（ESD）的要求；但是，建议采取预防措施，避免将高于最高额定电压的电压应用于这些高阻抗电路。