TPS1120双路P通道增强模式MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

TPS1120 集成两个独立的 p 沟道增强型 MOSFET，这些 MOSFET 通过德州仪器 LinBiCMOSTM 工艺优化，适用于电池供电系统中的 3 V 或 5 V 电源分配。

TPS1120 的最大 VGS(th) 为 -1.5 V，IDSS 仅为 0.5 μA，是低电压便携式电池管理系统中理想的高侧开关，尤其适用于以延长电池寿命为首要目标的应用。由于便携式设备可能受到静电放电（ESD）的影响，MOSFET 内置了 2 kV ESD 保护电路。

TPS1120 的终端设备包括笔记本电脑、个人数字助理（PDA）、手机、条码扫描器和 PCMCIA 卡。对于现有设计，TPS1120D 的引脚布局与其他 p 沟道 MOSFET 在小型外形集成电路（SOIC）封装中的引脚布局相同。

TPS1120的结温工作范围（TJ）为-40°C至150°C。

注意。本器件内置电路，可保护其输入和输出端免受高静电电压或静电场造成的损坏。这些电路已通过 MIL-STD-883C 方法 3015 测试，可保护该器件免受高达 2 kV 的静电放电（ESD）影响；然而，建议采取预防措施，避免对这些高阻抗电路施加超过额定电压的电压。