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CSD16409Q3采用3mm x 3mm SON封装的单通道12.4mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD16409Q3采用3mm x 3mm SON封装的单通道12.4mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD16409Q3 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-12 11:45:30 |
技术参数
NexFET™ 功率MOSFET专为降低功率转换应用中的损耗而设计。
VDS (V) 25
VGS (V) 16
类型 N沟道
结构 单极型
导通电阻（Rds(on)）在VGS=10 V时（最大值）（mΩ） 8.2
导通电阻（Rds(on)）在VGS=4.5 V时（最大值）（mΩ） 12.4
阈值电压（VGSTH）典型值（V） 2
栅极电荷（QG）典型值（nC） 4
QGD（典型值）（nC） 1
QGS（典型值）（nC） 2.1
ID - 硅限制（TC=25°C）（A） 60
ID - 封装限制（A） 60
逻辑电平 是
等级 目录
工作温度范围（°C） -55 至 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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