CSD16406Q3采用3mm x 3mm SON封装的单通道7.4mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款25 V、4.2 mΩ、3.3 mm × 3.3 mm SON NexFET功率MOSFET专为降低功率转换应用中的损耗而设计。

VDS (V) 25

VGS (V) 16

类型 N沟道

结构 单极型

Rds(on)在VGS=10 V时（最大值）（mΩ） 5.3

Rds(on) 在 VGS=4.5 V 时（最大值）（mΩ） 7.4

VGSTH 典型值（典型值）（V） 1.7

QG（典型值）（nC） 5.8

QGD（典型值）（nC） 1.5

QGS（典型值）（nC） 2.5

ID - 硅限制值（在 TC=25°C 时）（A） 79

ID - 封装限制值（A） 60

逻辑电平 是

额定值 目录

工作温度范围（°C） -55 至 150