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CSD16403Q5A采用5mm x 6mm SON封装的单通道3.7mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD16403Q5A采用5mm x 6mm SON封装的单通道3.7mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD16403Q5A |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-12 11:28:01 |
技术参数
NexFET™ 功率MOSFET专为降低功率转换应用中的损耗而设计。
VDS (V) 25
VGS (V) 16
类型 N沟道
结构 单极型
Rds(on) 在VGS=10 V时（最大值）（mΩ） 2.8
Rds(on) 在 VGS=4.5 V 时（最大值）（mΩ） 3.7
VGSTH 典型值（典型值）（V） 1.6
QG（典型值）（nC） 13.3
QGD（典型值）（nC） 3.5
QGS（典型值）（nC） 5.5
ID - 硅限制值（在 TC=25°C 时）（A） 100
ID - 封装限制值（A） 100
逻辑电平 是
额定值 目录
工作温度范围（°C） -55 至 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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