CSD16321Q5采用5mm x 6mm SON封装的单通道2.6mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款 25V、1.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度减小功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。

VDS (V) 25

VGS (V) 10

类型 N沟道

配置 单极型

导通电阻（Rds(on)）在VGS=4.5 V（最大值）时（mΩ） 2.6

VGSTH典型值（典型值）（V） 1.1

QG（典型值）（nC） 14

QGD（典型值）（nC） 2.5

QGS（典型值）（nC） 4

ID - 硅限制（TC=25°C）（A） 177

ID - 封装限制（A） 100

逻辑电平 是

额定值 目录

工作温度范围（°C） -55 至 150