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CSD16323Q3采用3mm x 3mm SON封装的单通道5.5mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD16323Q3采用3mm x 3mm SON封装的单通道5.5mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD16323Q3 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-12 11:16:27 |
技术参数
这款25V、3.8mΩ、3.3×3.3mm SON NexFET™功率MOSFET专为最小化功率转换损耗而设计，并针对5V栅极驱动应用进行了优化。
VDS (V) 25
VGS (V) 10
类型 N沟道
配置 单极型
Rds(on) 在 VGS=4.5 V 时（最大值）（mΩ） 5.5
VGSTH 典型值（典型值）（V） 1.1
QG 典型值（典型值）（nC） 6.2
QGD（典型值）（nC） 1.1
QGS（典型值）（nC） 1.8
ID - 硅限制（TC=25°C）（A） 21
ID - 封装限制（A） 60
逻辑电平 是
等级 目录
工作温度范围（°C） -55至150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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