CSD16301Q2采用2mm x 2mm SON封装的单通道29mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

该 25V 19mΩ 2mm x 2mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 可以极大地降低电源转换和负载管理应用中的损耗。2mm × 2mm SON 封装可提供相对于封装尺寸而言出色的热性能。

VDS (v) 25

VGS (v) 10

n沟道型

配置单一

VGS=4.5 V（最大值）时的Rds(on) (mΩ

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC

QGD（型）（nC） 0.4

QGS (type) (nC) 0.6

ID -硅限制在TC=25°C (A) 20

ID - package limited (A

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150