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CSD16415Q5采用5mm x 6mm SON封装的单路1.8mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD16415Q5采用5mm x 6mm SON封装的单路1.8mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD16415Q5 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-12 10:40:36 |
技术参数
此NexFET 功率MOSFET已被设计成在功率转换应用中大大降低功率损失。
VDS (v) 25
VGS (v) 16
n沟道型
配置单一
VGS=10 V（最大值）（mΩ） 1.15
Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ
VGSTH类型（type） (V
QG (type) (nC
QGD (type) (nC
QGS (type) (nC
ID -硅限制在TC=25°C (A) 261
ID -套餐有限公司(A) 100
逻辑级别是
评级目录
工作温度范围（°C） -55 ~ 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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