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CSD86330Q3D采用3mm x 3mm SON封装的20A、25V、N沟道同步降压NexFET™功率MOSFET电源块 Texas Instruments德州仪器TI
CSD86330Q3D采用3mm x 3mm SON封装的20A、25V、N沟道同步降压NexFET™功率MOSFET电源块 Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD86330Q3D |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-12 10:00:36 |
技术参数
CSD86330Q3D NexFET™电源模块是一款针对同步降压应用的优化设计，在3.3 mm × 3.3 mm的小外形中提供高电流、高效率和高频功能。
针对5v栅极驱动应用进行了优化，该产品提供了灵活的解决方案，能够在与外部控制器/驱动器的任何5v栅极驱动器配对时提供高密度电源。
VDS (v) 25
VGS (v) 10
电源模块
配置机械绞车
ID -在TA=25°C (A)时的连续漏极电流
功率损耗(W
损耗电流(A) 15
电源特点
评级目录
工作温度范围（°C） -55 ~ 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
| 所在区域：上海市 | 服务电话：020-7724-9372 |
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