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CSD25211W1015采用1mm x 1.5mm WLP封装、具有栅极ESD保护的单路33mΩ、-20V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD25211W1015采用1mm x 1.5mm WLP封装、具有栅极ESD保护的单路33mΩ、-20V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD25211W1015 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-12 09:34:46 |
技术参数
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。
VDS (v) -20
VGS (v) -6
p沟道型
配置单一
VGS=4.5 V（最大）时的Rds(on) (mΩ
Rds（on）在VGS=2.5 V (max) (mΩ
VGSTH type (type) (V) -0.8
QG (type) (nC
QGD (type) (nC) 0.2
QGS (type) (nC
ID硅限制在TC=25°C (A) 3.2
逻辑级别是
评级目录
工作温度范围（°C） -55 ~ 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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