CSD15571Q2采用2mm x 2mm SON封装的单通道19.2mΩ、20V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

此NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。

顶视图 RθJA = 50，这是在 1 平方英寸纯铜（2 盎司），厚度为 .060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上测得的值。脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%。

VDS (v) 20

VGS (v) 20

n沟道型

配置单一

VGS=10 V（最大值）(mΩ

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ

VGSTH type (type) (V) 1.45

QG (type) (nC

QGD (type) (nC) 0.66

QGS (type) (nC) 0.93

ID硅限制在TC=25°C (A) 10

ID - package limited (A

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150