CSD25481F4采用0.6mm x 1mm LGA封装、具有栅极ESD保护的单通道105mΩ、-20V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

该90mΩ、20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。

这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

VDS (v) -20

VGS (v) -12

p沟道型

配置单一

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) （mΩ） 105

Rds（on）在VGS=2.5 V (max) （mΩ） 175

VGSTH类型（type） (V) -0.95

QG (type) (nC) 0.913

QGD (type) (nC) 0.153

QGS (type) (nC) 0.24

ID -硅限制在TC=25°C (A) 2.5

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150