CSD13201W10采用1mm x 1mm WLP封装的单通道34mΩ、12V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

此器件设计用于在 超低高度并具有出色散热特性的 尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通 电阻和栅极电荷。

在 1 in22 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA=105°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%。

VDS (v) 12

VGS (v) 8

n沟道型

配置单一

VGS=4.5 V（最大值）时的Rds(on) (mΩ

VGSTH type (type) (V) 0.8

QG (type) (nC

QGD (type) (nC) 0.3

QGS (type) (nC) 0.5

ID -硅限制在TC=25°C (A) 1.6

ID - package limited (A) 1.6

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150