CSD25202W15采用1.5mm x 1.5mm WLP封装、具有栅极ESD保护的单路26mΩ、-20V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款21mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

VDS (v) -20

VGS (v) -6

p沟道型

配置单一

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ

Rds（on）在VGS=2.5 V (max) (mΩ

VGSTH类型（type） (V) -0.75

QG (type) (nC

QGD (type) (nC) 0.8

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150