CSD85301Q2采用2mm x 2mm SON封装、具有栅极ESD保护的双路27mΩ、20V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

CSD85301Q2 是一款 20V、23mΩ N 沟道器件，具有两个独立的 MOSFET，并且采用 SON 2mm x 2mm 塑料封装。这两个 FET 采用半桥配置，适用于同步降压等电源应用。

此外，该器件还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电应用。两个 FET 的漏源导通电阻均不高，可最大程度降低损耗并减少元件数，非常适合空间受限型应用。

VDS (v) 20

VGS (v) 10

n沟道型

配置双

VGS=4.5 V（最大值）时的Rds(on) (mΩ

VGSTH type (type) (V) 0.9

QG (type) (nC

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A

ID - package limited (A

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150