CSD22204W采用1.5mm x 1.5mm WLP封装、具有栅极ESD保护的单路9.9mΩ、-8V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款–8V、8.2mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

低导通电阻与小型封装尺寸和超薄特性结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

VDS (v) -8

VGS (v) -6

p沟道型

配置单一

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) （mΩ） 9.9

VGS=2.5 V（最大值）时的Rds(on) (mΩ

VGSTH类型（type） (V) -0.7

QG (type) (nC) 18.9

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150