CSD23280F3采用0.6mm x 0.7mm LGA封装、具有栅极ESD保护的单路116mΩ、-12V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

该-12V、97mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。

这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

VDS (v) -12

VGS (v) -6

p沟道型

配置单一

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ

Rds（on）在VGS=2.5 V (max) (mΩ

VGSTH类型（type） (V) -0.65

QG (type) (nC) 0.95

QGD (type) (nC) 0.068

QGS (type) (nC) 0.3

ID -硅限制在TC=25°C (A) 1.8

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150