CSD18541F5采用1.5mm x 0.8mm LGA封装、具有栅极ESD保护的单路65mΩ、60V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

该 54mΩ、60V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在空间受限的工业负载开关应用中占用的空间。

这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

VDS (v) 60

VGS (v

n沟道型

配置单一

在VGS=10 V（最大）（mΩ） 65

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ

VGSTH类型（type） (V) 1.75

QG (type) (nC

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC

ID硅限制在TC=25°C (A) 2.2

ID - package limited (A) 2.2

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150