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CSD19538Q3A采用3mm x 3mm SON封装的单路61mΩ、100V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD19538Q3A采用3mm x 3mm SON封装的单路61mΩ、100V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD19538Q3A |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-11 10:42:48 |
技术参数
这款100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。
VDS (v) 100
VGS (v
n沟道型
配置单一
VGS=10 V（最大）(mΩ
VGSTH类型（type） (V
QG (type) (nC
QGD (type) (nC) 0.8
QGS (type) (nC
ID -硅限制在TC=25°C (A) 13.7
ID -套餐有限公司(A
逻辑级别
评级目录
工作温度范围（°C） -55 ~ 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
| 所在区域：上海市 | 服务电话：020-7724-9372 |
| 售后服务传真：020-7724-9372 | 邮编：200126 |
| 公司地址：上海市浦东新区海阳西路555号前滩中心10层 |
