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CSD25501F3采用0.6mm x 0.7mm LGA具有栅极ESD保护的单路76mΩ、-20V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD25501F3采用0.6mm x 0.7mm LGA具有栅极ESD保护的单路76mΩ、-20V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD25501F3 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-09 16:54:56 |
技术参数
此 –20V、64mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够更大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。
这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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