TPS737-Q1具有反向电流保护和使能功能的汽车级1A超低压降稳压器 Texas Instruments德州仪器TI

TPS737-Q1 线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 n 型场效应晶体管 (NMOS) 作为导通晶体管。该拓扑对输出电容器值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，支持实现多种负载配置。

即使使用 1µF 的小型陶瓷输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS 拓扑结构也可实现超低压降。

TPS737-Q1 采用先进的双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺。该工艺可实现高精度，同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。未启用时，电流消耗低于 20nA，非常适合于便携式应用。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。