LM4132-Q1汽车类SOT-23精密低压降电压基准 Texas Instruments德州仪器TI

LM4132系列精密电压参考元件的性能可与最好的激光修整双极参考元件相媲美，但采用具有成本效益的CMOS技术。

这一突破的关键是在CMOS带隙架构上使用EEPROM寄存器来校正曲率、温度系数（tempco）和精度，从而允许封装级编程克服组装移位。在将模具组装成塑料封装期间，电压精度和温度的变化限制了用激光技术修整参考的精度。

与其他LDO参考不同，LM4132可以提供高达20 mA的输出，不需要输出电容或缓冲放大器。这些优势以及SOT-23封装对于空间关键型应用非常重要。

串联参考比并联参考提供更低的功耗，因为它们不必在空载条件下闲置最大可能的负载电流。低静态电流（60µA）和低降电压（400 mV）使LM4132成为电池供电解决方案的理想选择。

LM4132有五个等级（A， B， C， D和E），以获得更大的灵活性。最佳等级设备(A)的初始精度为0.05%，指定温度系数为10 ppm/°C或更低，而最低等级设备(E)的初始精度为0.5%，温度系数为30 ppm/°C。