TPS1101单路P通道增强模式MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

TPS1101是一个单，低rds (on)， p通道，增强模式MOSFET。该设备已通过德州仪器LinBiCMOSTM优化，适用于电池供电系统中的3v或5v配电的过程。

TPS1101的最大VGS（th）为-1.5 V， IDSS仅为0.5 uA，是低压便携式电池管理系统的理想高压开关，在这些系统中，最大限度地延长电池寿命是主要关注的问题。

TPS1101的低rDS（on）和出色的交流特性（典型上升时间5.5 ns）使其成为低压开关应用的逻辑选择，例如脉宽调制（PWM）控制器或电机/桥式驱动器的功率开关。

超薄薄收缩小轮廓封装或TSSOP （PW）版本适用于其他p沟道mosfet无法满足高度限制的地方。在电路板高度限制不允许小轮廓集成电路（SOIC）封装的情况下，尺寸优势尤其重要。

这些应用包括笔记本电脑、个人数字助理（pda）、移动电话和PCMCIA卡。对于现有设计，d封装版本具有与SOIC封装中的其他p沟道mosfet相同的引脚。