CSD16401Q5采用5mm x 6mm SON封装的单通道2.3mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款25V、1.3mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率MOSFET旨在更大限度减小功率转换应用中的损耗。

VDS (V) 25

VGS (V) 16

类型 N沟道

配置 单极型

导通电阻Rds(on)在VGS=10 V时（最大值）（mΩ） 1.6

导通电阻Rds(on)在VGS=4.5 V时（最大值）（mΩ） 2.3

VGSTH 典型值 (典型值) (V) 1.5

QG (典型值) (nC) 21

QGD (典型值) (nC) 5.2

QGS (典型值) (nC) 8.3

ID - 硅限制值在 TC=25°C 时 (A) 261

ID - 封装限制 (A) 100

逻辑电平 是

额定值 目录

工作温度范围 (°C) -55 至 150