CSD16411Q3采用3mm x 3mm SON封装的单通道15mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款25V、8mΩ、3.3mm×3.3mm SON NexFET™功率MOSFET专为降低功率转换应用中的损耗而设计。

VDS (V) 25

VGS (V) 16

类型 N沟道

结构 单极型

Rds(on)在VGS=10V时（最大值）（mΩ） 10

Rds(on) 在 VGS=4.5 V 时（最大值）（mΩ） 15

VGSTH 典型值（典型值）（V） 2

QG（典型值）（nC） 2.9

QGD（典型值）（nC） 0.7

QGS（典型值）（nC） 1.5

ID - 硅限制值（TC=25°C）（A） 56

ID - 封装限制值（A） 60

逻辑电平 是

额定值 目录

工作温度范围（°C） -55 至 150