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CSD16325Q5采用5mm x 6mm SON封装的单通道2.2mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

CSD16325Q5采用5mm x 6mm SON封装的单通道2.2mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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公司名称: | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
产品品牌: | 德州仪器 |
产品型号: | CSD16325Q5 |
产品类型: | MOSFET |
产品产地: | 上海 |
发布时间: | 2025-08-12 11:03:56 |
技术参数
NexFET™功率 MOSFET 旨在更大限度地减少功率转换应用中的损耗,并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。
VDS (V) 25
VGS (V) 10
类型 N沟道
配置 单极型
导通电阻(Rds(on))在VGS=4.5 V(最大值)时(mΩ) 2.2
VGSTH典型值(典型值)(V) 1.1
QG(典型值)(nC) 18
QGD(典型值)(nC) 3.5
QGS(典型值)(nC) 6.6
ID - 硅限制(TC=25°C)(A) 33
ID - 封装限制(A) 100
逻辑电平 是
额定值 目录
工作温度范围(°C) -55 至 150
公司名称:德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品:德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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