CSD86311W1723采用1.7mm x 2.3mm WLP封装的双通道共源极42mΩ、25V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

该器件被设计为在最小的轮廓内提供最低的电阻和栅极电荷，并具有超低轮廓的热特性。低导通电阻和栅极电荷，加上占地面积小和外形低，使该器件非常适合电池供电的空间有限的负载管理应用以及DC-DC转换器应用

VDS (v) 25

VGS (v) 10

n沟道型

双共源配置

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC

QGD (type) (nC) 0.33

QGS (type) (nC) 0.85

ID -硅限制在TC=25°C (A) 4.5

ID -包装有限(A) 4.5

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150