CSD17559Q5采用5mm x 6mm SON封装的单路1.5mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款30V，0.95mΩ，5mm × 6mm SON 封装 NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2)，2 盎司（厚度为 0.071 mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.2°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

VDS (v) 30

VGS (v) 20

n沟道型

配置单一

VGS=10 V（最大值）（mΩ） 1.15

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC

QGD (type) (nC) 9.3

QGS (type) (nC) 14.4

ID -硅限制在TC=25°C (A) 257

ID -套餐有限公司(A) 100

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150