CSD17483F4采用1mm x 0.6mm LGA封装、具有栅极ESD保护的单通道260mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

该200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。

这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

VDS (v) 30

VGS (v) 12

n沟道型

配置单一

VGS=10 V（最大）(mΩ

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) （mΩ） 260

VGSTH类型（type） (V) 0.85

QG (type) (nC) 1.01

QGD (type) (nC) 0.13

QGS (type) (nC) 0.22

ID -硅限制在TC=25°C (A) 1.5

ID -包装有限(A) 1.5

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150