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CSD87384M采用5mm x 3.5mm LGA封装的30A、30V、N沟道同步降压NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD87384M采用5mm x 3.5mm LGA封装的30A、30V、N沟道同步降压NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD87384M |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-11 17:11:45 |
技术参数
此CSD87384M NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 5.0mm × 3.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。
针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，此款产品可提供高效且灵活的解决方案，此解决方案在与外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动成对使用时，均可提供一个高密度电源。
VDS (v) 30
VGS (v) 10
电源模块
配置机械绞车
ID -在TA=25°C (A)时连续漏极电流30
功率损耗(W) 3.7
损耗电流(A) 25
电源特点
评级目录
工作温度范围（°C） -55 ~ 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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