CSD85312Q3E采用3mm x 3mm SON封装的双通道共源极14mΩ、20V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

CSD85312Q3E是一款设计用于适配器或 USB 输入保护的 20V 共源、双路 N 通道器件。

此类 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏极到漏极导通电阻，这大大减少了损耗并且为空间受限的多节电池充电类应用提供低组件数量。

VDS (v) 20

VGS (v) 10

n沟道型

双共源配置

VGS=4.5 V（最大值）时的Rds(on) (mΩ

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC) 11.7

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A) 39

ID -套餐有限公司(A

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150