CSD19533Q5A采用5mm x 6mm SON封装的单通道9.5mΩ、100V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款 100V，7.8mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.3°C/W，持续时间 ≤100μs，占空比 ≤1%。

VDS (v) 100

VGS (v) 20

n沟道型

配置单一

VGS=10 V（最大值）（mΩ） 9.5

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC

QGD (type) (nC) 4.9

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A) 75

ID -套餐有限公司(A) 100

逻辑级别

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150