CSD88537ND采用SO-8封装的双路15mΩ、60V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。

顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。

最大 RθJL = 20°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。

VDS (v) 60

VGS (v) 20

n沟道型

配置双

VGS=10 V（最大值）(mΩ

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC

ID -硅限制在TC=25°C (A

ID -套餐有限公司(A

逻辑级别

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150