CSD17575Q3采用3mm x 3mm SON封装的单路、3.2mΩ、30V、N道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款1.9mΩ，30V，SON 3×3 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 45°C/W，这是在一块厚度为 0.060 英寸的 FR4 印刷电路板 (PCB) 上的 1 平方英寸 2 盎司铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 1.5°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%

VDS (v) 30

VGS (v) 20

n沟道型

配置单一

VGS=10 V（最大值）时的Rds(on) (mΩ

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC) 8.5

ID -硅限制在TC=25°C (A) 182

ID -套餐有限公司(A) 60

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150