CSD25304W1015采用1mm x 1.5mm WLP封装的单路32.5mΩ、-20V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

这款27mΩ，20V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 器件在 105ºC 温度下运行RθJA 典型值 = 165°C/W，脉宽 ≤100μs，占空比 ≤1%.

VDS (v) -20

VGS (v) -8

p沟道型

配置单一

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) （mΩ）

Rds（on）在VGS=2.5 V（最大）（mΩ） 45.5

VGSTH type (type) (V) -0.8

QG (type) (nC

QGD (type) (nC) 0.5

QGS (type) (nC) 0.7

ID -硅限制在TC=25°C (A

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150