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CSD23202W10采用1mm x 1mm WLP封装、具有栅极ESD保护的单路53mΩ、-12V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI
CSD23202W10采用1mm x 1mm WLP封装、具有栅极ESD保护的单路53mΩ、-12V、P沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI |
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| 公司名称： | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
| 产品品牌： | 德州仪器 |
| 产品型号： | CSD23202W10 |
| 产品类型： | MOSFET |
| 产品产地： | 上海 |
| 发布时间： | 2025-08-11 15:12:39 |
技术参数
这款12V，44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
VDS (v) -12
VGS (v) -6
p沟道型
配置单一
Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ
Rds（on）在VGS=2.5 V (max) (mΩ
VGSTH类型（type） (V) -0.6
QG (type) (nC
QGD (type) (nC) 0.28
QGS (type) (nC) 0.55
ID硅限制在TC=25°C (A) 2.2
逻辑级别是
评级目录
工作温度范围（°C） -55 ~ 150
| 公司名称：德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品：德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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