CSD87501L采用LGA封装、具有栅极ESD保护的双路共漏极5.5mΩ、30V、N沟道NexFET™功率MOSFET Texas Instruments德州仪器TI

此30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。

该器件具有小尺寸和共漏极配置，非常适用于多节电池组 应用 和小型手持设备。

VDS (v) 30

VGS (v) 20

n沟道型

双通漏

VGS=10 V（最大值）（mΩ） 3.9

Rds（on）在VGS=4.5 V (max) (mΩ

VGSTH类型（type） (V

QG (type) (nC

QGD (type) (nC

QGS (type) (nC

ID硅限制在TC=25°C (A) 14

ID -套餐有限公司(A

逻辑级别是

评级目录

工作温度范围（°C） -55 ~ 150