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CSD88599Q5DC采用5mm x 6mm SON封装的40A、60V、N沟道同步降压NexFET™功率MOSFET Dual-Cool™电源块 Texas Instruments德州仪器TI

CSD88599Q5DC采用5mm x 6mm SON封装的40A、60V、N沟道同步降压NexFET™功率MOSFET Dual-Cool™电源块 Texas Instruments德州仪器TI |
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公司名称: | 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |
产品品牌: | 德州仪器 |
产品型号: | CSD88599Q5DC |
产品类型: | MOSFET |
产品产地: | 上海 |
发布时间: | 2025-08-11 08:50:17 |
技术参数
CSD88599Q5DC 60V 电源块是一款针对手持设备、无绳园艺工具和电动工具等高电流电机控制应用进行了优化的设计。
该器件利用 TI 的堆叠裸片技术来更大限度地减小寄生电感,同时采用节省空间的热增强型 DualCool™ 5mm × 6mm 封装,提供完整的半桥。
利用外露的金属顶部,该电源块器件允许简单散热应用通过封装顶部散发 PCB 热量,从而在许多电机控制应用所要求的较高电流下,实现出色的热性能。
公司名称:德州仪器半导体技术(上海)有限公司 | 主营产品:德州仪器半导体技术(上海)有限公司各类型传感器半导体 |
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