多维TMR3026高精度TMR角度传感器芯片

TMR3026 角度传感器芯片采用两组冗余的惠斯通电桥结构设计，每组惠斯通电桥包括四个高灵敏度隧道磁阻 (TMR) 传感器元件，组成两组半桥结构，分别输出 SIN 单端电压和 COS 单端电压。TMR 惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。

在角度传感器的应用场合下，在 TMR3026 角度芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，当磁铁旋转时，芯片输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。

TMR3026 芯片的冗余设计提升了应用系统安全性，当磁场范围在 200 Gs ~ 800 Gs 范围内变化时，它可以保持很低的角度误差。该芯片采用 SOP8 封装。